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IRF7526D1PbF
Power Mosfet Characteristics
1000
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
1
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
1.5
0.60
0.50
1.0
VGS = -4.5V
0.40
I
= -2.0A
0.30
0.5
0.20
VGS = -10V
0.0
0
1
2
3
4
A
0.10
3
6
9
12
15
A
-I D , Drain Current (A)
Fig 10. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
www.irf.com
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
5
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